DTC114EU3HZGT106
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.457738 | ￥1373.21 |
| 6000 | ￥0.424561 | ￥2547.37 |
| 9000 | ￥0.352129 | ￥3169.16 |
| 30000 | ￥0.345904 | ￥10377.12 |
| 75000 | ￥0.310677 | ￥23300.77 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 1
集电极连续电流 100 mA
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
最大直流电集电极电流 100 mA
输出电压 100 mV
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 38.487 mg
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注
DTC114EU3HZGT106品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管
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替代型号
、DTC114EU3HZGT106
数据手册PDF。
DTC114EU3HZGT106
型号：DTC114EU3HZGT106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.457738 |
| 6000+： | ￥0.424561 |
| 9000+： | ￥0.352129 |
| 30000+： | ￥0.345904 |
| 75000+： | ￥0.310677 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00