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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 450 V
集电极—基极电压 -
发射极 - 基极电压 9 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 800 mA
耗散功率 800 mW
增益带宽产品 -
集电极连续电流 0.8 A
直流集电极 6 at 300 mA, 10 V
直流电流增益(Max) 40 at 100 mA, 10 V
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 453.600 mg
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0APT27ZTR-G1
型号:APT27ZTR-G1
品牌:DIODES
供货:锐单
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