NSVBSS63LT1G
库存 ：2995
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.813305 | ￥5.81 |
| 10 | ￥3.59507 | ￥35.95 |
| 100 | ￥2.25954 | ￥225.95 |
| 500 | ￥1.680352 | ￥840.18 |
| 1000 | ￥1.492949 | ￥1492.95 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V
集电极—基极电压 - 110 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 250 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 95 MHz
直流集电极 30
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSVBSS63LT1G 同类别型号
注
NSVBSS63LT1G
型号：NSVBSS63LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：2995 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.813305 |
| 10+： | ￥3.59507 |
| 100+： | ￥2.25954 |
| 500+： | ￥1.680352 |
| 1000+： | ￥1.492949 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.81