NSVBC847BLT3G
库存 ：18421
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.72819 | ￥4.73 |
| 10 | ￥3.322176 | ￥33.22 |
| 100 | ￥1.67602 | ￥167.60 |
| 500 | ￥1.367443 | ￥683.72 |
| 1000 | ￥1.014571 | ￥1014.57 |
| 2000 | ￥0.853564 | ￥1707.13 |
| 5000 | ￥0.815987 | ￥4079.93 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 450
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSVBC847BLT3G 同类别型号
注
NSVBC847BLT3G
型号：NSVBC847BLT3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：18421 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.72819 |
| 10+： | ￥3.322176 |
| 100+： | ￥1.67602 |
| 500+： | ￥1.367443 |
| 1000+： | ￥1.014571 |
| 2000+： | ￥0.853564 |
| 5000+： | ￥0.815987 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.73