NSVBC847BLT3G
库存 ：18321
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.813469 | ￥5.81 |
| 10 | ￥4.084727 | ￥40.85 |
| 100 | ￥2.060722 | ￥206.07 |
| 500 | ￥1.681317 | ￥840.66 |
| 1000 | ￥1.247448 | ￥1247.45 |
| 2000 | ￥1.049485 | ￥2098.97 |
| 5000 | ￥1.003283 | ￥5016.41 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 450
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSVBC847BLT3G 同类别型号
注
NSVBC847BLT3G
型号：NSVBC847BLT3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：18321 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.813469 |
| 10+： | ￥4.084727 |
| 100+： | ￥2.060722 |
| 500+： | ￥1.681317 |
| 1000+： | ￥1.247448 |
| 2000+： | ￥1.049485 |
| 5000+： | ￥1.003283 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥5.81