FZT655TA

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 150 V

集电极—基极电压 150 V

发射极 - 基极电压 7 V

饱和电压 180 mV

最大直流电集电极电流 1 A

耗散功率 2 W

增益带宽产品 30 MHz

集电极连续电流 1 A

直流集电极 50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A, 5 V

直流电流增益（Max） 50

技术 Si

高度 1.65 mm

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

单位重量 112 mg