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制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 25 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 0.7 V
最大直流电集电极电流 1000 mA
耗散功率 625 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 800 mA
直流集电极 250
直流电流增益(Max) 630
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
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0BC338-40 B1G
型号:BC338-40 B1G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
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