2SB1123S-TD-E
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.171277 | ￥1171.28 |
| 2000 | ￥1.047044 | ￥2094.09 |
| 5000 | ￥0.993802 | ￥4969.01 |
| 10000 | ￥0.922812 | ￥9228.12 |
| 25000 | ￥0.901526 | ￥22538.15 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极—基极电压 - 60 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 300 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 150 MHz
集电极连续电流 - 2 A
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 51.380 mg
2SB1123S-TD-E 同类别型号
注
2SB1123S-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SB1123S-TD-E
数据手册PDF。
2SB1123S-TD-E
型号：2SB1123S-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.171277 |
| 2000+： | ￥1.047044 |
| 5000+： | ￥0.993802 |
| 10000+： | ￥0.922812 |
| 25000+： | ￥0.901526 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00