2SB1123S-TD-E
库存 ：1988
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.572191 | ￥7.57 |
| 10 | ￥6.42922 | ￥64.29 |
| 100 | ￥4.471881 | ￥447.19 |
| 500 | ￥3.491781 | ￥1745.89 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极—基极电压 - 60 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 300 mV
最大直流电集电极电流 - 2 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 150 MHz
集电极连续电流 - 2 A
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 51.380 mg
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注
2SB1123S-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
2SB1123S-TD-E
型号：2SB1123S-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：1988 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.572191 |
| 10+： | ￥6.42922 |
| 100+： | ￥4.471881 |
| 500+： | ￥3.491781 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.57