
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2.316851 | ¥2.32 |
| 10 | ¥1.72401 | ¥17.24 |
| 30 | ¥1.614982 | ¥48.45 |
| 100 | ¥1.505953 | ¥150.60 |
| 500 | ¥1.458254 | ¥729.13 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 200 mV
最大直流电集电极电流 3 A
耗散功率 1.2 W
增益带宽产品 175 MHz
直流集电极 300 at 10 mA, 2 V
直流电流增益(Max) 900 at 10 mA, 2 V
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 112 mg
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0ZXTN25100DGQTA
型号:ZXTN25100DGQTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥2.316851 |
| 10+: | ¥1.72401 |
| 30+: | ¥1.614982 |
| 100+: | ¥1.505953 |
| 500+: | ¥1.458254 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.32