2SD1620-TD-E
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.581728 | ￥1581.73 |
| 2000 | ￥1.442228 | ￥2884.46 |
| 5000 | ￥1.349155 | ￥6745.78 |
| 10000 | ￥1.256082 | ￥12560.82 |
| 25000 | ￥1.190939 | ￥29773.47 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 10 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 3 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 200 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
2SD1620-TD-E 同类别型号
注
2SD1620-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SD1620-TD-E
数据手册PDF。
2SD1620-TD-E
型号：2SD1620-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.581728 |
| 2000+： | ￥1.442228 |
| 5000+： | ￥1.349155 |
| 10000+： | ￥1.256082 |
| 25000+： | ￥1.190939 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00