2SC3646T-TD-E
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.695437 | ￥8.70 |
| 10 | ￥7.41059 | ￥74.11 |
| 100 | ￥5.531336 | ￥553.13 |
| 500 | ￥4.346162 | ￥2173.08 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 100 V
集电极—基极电压 120 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 100 mV
最大直流电集电极电流 1 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 120 MHz
集电极连续电流 1 A
直流电流增益（Max） 400
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 51.300 mg
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注
2SC3646T-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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数据手册PDF。
2SC3646T-TD-E
型号：2SC3646T-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.695437 |
| 10+： | ￥7.41059 |
| 100+： | ￥5.531336 |
| 500+： | ￥4.346162 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.70