PHD13003C,412
库存 ：9735
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.950186 | ￥5.95 |
| 10 | ￥4.490975 | ￥44.91 |
| 25 | ￥4.046127 | ￥101.15 |
| 100 | ￥2.796588 | ￥279.66 |
| 500 | ￥1.913127 | ￥956.56 |
| 1000 | ￥1.47168 | ￥1471.68 |
| 2500 | ￥1.324483 | ￥3311.21 |
| 5000 | ￥1.250956 | ￥6254.78 |
规格参数
关键信息
制造商 WeEn Semiconductors
商标 WeEn Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 400 V
集电极—基极电压 700 V
发射极 - 基极电压 9 V
饱和电压 1.5 V
最大直流电集电极电流 1.5 A
耗散功率 2.1 W
增益带宽产品 -
直流集电极 5
直流电流增益（Max） 25
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 934063921412
单位重量 453.600 mg
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注
PHD13003C,412品牌厂家：WeEn Semiconductors
，所属分类： 双极性晶体管
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数据手册PDF。
PHD13003C,412
型号：PHD13003C,412
品牌：WeEn Semiconductors
供货：锐单
库存：9735 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.950186 |
| 10+： | ￥4.490975 |
| 25+： | ￥4.046127 |
| 100+： | ￥2.796588 |
| 500+： | ￥1.913127 |
| 1000+： | ￥1.47168 |
| 2500+： | ￥1.324483 |
| 5000+： | ￥1.250956 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.95