NSTB60BDW1T1G
库存 ：5768
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.216213 | ￥2.22 |
| 200 | ￥0.857622 | ￥171.52 |
| 500 | ￥0.827571 | ￥413.79 |
| 1000 | ￥0.81271 | ￥812.71 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 22 kOhms
典型电阻器比率 2.13
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 - 150 mA
峰值直流集电极电流 150 mA
耗散功率 256 mW
直流电流增益（Max） 80
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 7.500 mg
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注
NSTB60BDW1T1G
型号：NSTB60BDW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：5768 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.216213 |
| 200+： | ￥0.857622 |
| 500+： | ￥0.827571 |
| 1000+： | ￥0.81271 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.22