货期: 8周-10周
起订量:4000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
4000 | ¥0.644243 | ¥2576.97 |
8000 | ¥0.557257 | ¥4458.06 |
12000 | ¥0.462115 | ¥5545.38 |
28000 | ¥0.45396 | ¥12710.88 |
100000 | ¥0.361537 | ¥36153.70 |
200000 | ¥0.353382 | ¥70676.40 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 50 V
集电极—基极电压 60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 5 V, - 5 V
饱和电压 100 mV, - 100 mV
最大直流电集电极电流 150 mA, - 150 mA
耗散功率 100 mW
增益带宽产品 80 MHz
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 400
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
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0HN1B04FE-Y,LF
型号:HN1B04FE-Y,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
4000+: | ¥0.644243 |
8000+: | ¥0.557257 |
12000+: | ¥0.462115 |
28000+: | ¥0.45396 |
100000+: | ¥0.361537 |
200000+: | ¥0.353382 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00