
货期:(7~10天)
起订量:4000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ¥0.705245 | ¥2820.98 |
| 8000 | ¥0.633803 | ¥5070.42 |
| 12000 | ¥0.59724 | ¥7166.88 |
| 20000 | ¥0.556241 | ¥11124.82 |
| 28000 | ¥0.531917 | ¥14893.68 |
| 40000 | ¥0.508205 | ¥20328.20 |
| 100000 | ¥0.45619 | ¥45619.00 |
| 200000 | ¥0.424065 | ¥84813.00 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 50 V
集电极—基极电压 60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 5 V, - 5 V
饱和电压 100 mV, - 100 mV
最大直流电集电极电流 150 mA, - 150 mA
耗散功率 100 mW
增益带宽产品 80 MHz
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 400
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
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0HN1B04FE-Y,LF
型号:HN1B04FE-Y,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 4000+: | ¥0.705245 |
| 8000+: | ¥0.633803 |
| 12000+: | ¥0.59724 |
| 20000+: | ¥0.556241 |
| 28000+: | ¥0.531917 |
| 40000+: | ¥0.508205 |
| 100000+: | ¥0.45619 |
| 200000+: | ¥0.424065 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00