HN1B04FE-GR,LF
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- 制造商编号：
- HN1B04FE-GR,LF
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 双极晶体管预偏置
- 商品描述：
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：4000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ￥0.377294 | ￥1509.18 |
| 8000 | ￥0.328057 | ￥2624.46 |
| 12000 | ￥0.278821 | ￥3345.85 |
| 28000 | ￥0.262432 | ￥7348.10 |
| 100000 | ￥0.232116 | ￥23211.60 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 50 V
集电极—基极电压 60 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 5 V, - 5 V
饱和电压 100 mV, - 100 mV
最大直流电集电极电流 150 mA, - 150 mA
耗散功率 100 mW
增益带宽产品 80 MHz
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 400
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 3 mg
HN1B04FE-GR,LF 同类别型号
注
HN1B04FE-GR,LF
型号：HN1B04FE-GR,LF
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 4000+： | ￥0.377294 |
| 8000+： | ￥0.328057 |
| 12000+： | ￥0.278821 |
| 28000+： | ￥0.262432 |
| 100000+： | ￥0.232116 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00