NSVBC847BDW1T2G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.617738 | ￥0.62 |
| 200 | ￥0.239057 | ￥47.81 |
| 500 | ￥0.230656 | ￥115.33 |
| 1000 | ￥0.226505 | ￥226.51 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 450
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
NSVBC847BDW1T2G 同类别型号
注
NSVBC847BDW1T2G
型号：NSVBC847BDW1T2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.617738 |
| 200+： | ￥0.239057 |
| 500+： | ￥0.230656 |
| 1000+： | ￥0.226505 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.62