SBC856BLT3G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.294397 | ￥2943.97 |
| 30000 | ￥0.288914 | ￥8667.42 |
| 50000 | ￥0.239209 | ￥11960.45 |
| 250000 | ￥0.235553 | ￥58888.25 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 PNP
直流集电极 220
工作频率（Max） 100 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 65 V
集电极连续电流 0.1 A
耗散功率 300 mW
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 8 mg
SBC856BLT3G 同类别型号
注
SBC856BLT3G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、SBC856BLT3G
数据手册PDF。
SBC856BLT3G
型号：SBC856BLT3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.294397 |
| 30000+： | ￥0.288914 |
| 50000+： | ￥0.239209 |
| 250000+： | ￥0.235553 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00