2SD1949T106R
库存 ：555
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.10803 | ￥8.11 |
| 10 | ￥5.033098 | ￥50.33 |
| 100 | ￥3.197318 | ￥319.73 |
| 500 | ￥2.404872 | ￥1202.44 |
| 1000 | ￥2.148629 | ￥2148.63 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 400 mV
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 250 MHz
集电极连续电流 0.5 A
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 390
技术 Si
外形参数
高度 0.8 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 5 mg
2SD1949T106R 同类别型号
注
2SD1949T106R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SD1949T106R
数据手册PDF。
2SD1949T106R
型号：2SD1949T106R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：555 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.10803 |
| 10+： | ￥5.033098 |
| 100+： | ￥3.197318 |
| 500+： | ￥2.404872 |
| 1000+： | ￥2.148629 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.11