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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, PNP
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 115 mA
漏源电阻 7.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 20 ns
晶体管类型 Complext Transistor Array
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0CTA2P1N-7-F
型号:CTA2P1N-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
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