2SCR502U3T106
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.238127 | ￥3714.38 |
| 6000 | ￥1.169342 | ￥7016.05 |
| 15000 | ￥1.066165 | ￥15992.48 |
| 30000 | ￥0.99738 | ￥29921.40 |
| 75000 | ￥0.97337 | ￥73002.75 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 30 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 100 mV
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 360 MHz
集电极连续电流 0.5 A
直流集电极 200
直流电流增益（Max） 500
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
2SCR502U3T106 同类别型号
注
2SCR502U3T106
型号：2SCR502U3T106
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.238127 |
| 6000+： | ￥1.169342 |
| 15000+： | ￥1.066165 |
| 30000+： | ￥0.99738 |
| 75000+： | ￥0.97337 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00