货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.077488 | ¥4.08 |
10 | ¥2.681257 | ¥26.81 |
25 | ¥2.322932 | ¥58.07 |
100 | ¥1.925069 | ¥192.51 |
250 | ¥1.737257 | ¥434.31 |
500 | ¥1.614684 | ¥807.34 |
1000 | ¥1.516825 | ¥1516.83 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 30 V
集电极—基极电压 35 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 0.1 V
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 200 MHz, 300 MHz
集电极连续电流 500 mA
直流集电极 70
直流电流增益(Max) 240
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
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0HN4B04J(TE85L,F)
型号:HN4B04J(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.077488 |
10+: | ¥2.681257 |
25+: | ¥2.322932 |
100+: | ¥1.925069 |
250+: | ¥1.737257 |
500+: | ¥1.614684 |
1000+: | ¥1.516825 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.08