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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 30 V
集电极—基极电压 35 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 0.1 V
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 200 MHz, 300 MHz
集电极连续电流 500 mA
直流集电极 70
直流电流增益(Max) 240
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
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0HN4B04J(TE85L,F)
型号:HN4B04J(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
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