
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.564799 | ¥1694.40 |
| 6000 | ¥0.511451 | ¥3068.71 |
| 9000 | ¥0.48424 | ¥4358.16 |
| 15000 | ¥0.453683 | ¥6805.24 |
| 21000 | ¥0.435563 | ¥9146.82 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 4.7 S
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 29 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
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0SSM3J356R,LF
型号:SSM3J356R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.564799 |
| 6000+: | ¥0.511451 |
| 9000+: | ¥0.48424 |
| 15000+: | ¥0.453683 |
| 21000+: | ¥0.435563 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00