
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.364442 | ¥6.36 |
| 10 | ¥3.92474 | ¥39.25 |
| 100 | ¥2.480617 | ¥248.06 |
| 500 | ¥1.850537 | ¥925.27 |
| 1000 | ¥1.646875 | ¥1646.88 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 4.7 S
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 29 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
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0SSM3J356R,LF
型号:SSM3J356R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.364442 |
| 10+: | ¥3.92474 |
| 100+: | ¥2.480617 |
| 500+: | ¥1.850537 |
| 1000+: | ¥1.646875 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.36