NSBC114EPDP6T5G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：8000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 8000 | ￥0.334428 | ￥2675.42 |
| 16000 | ￥0.277306 | ￥4436.90 |
| 24000 | ￥0.272395 | ￥6537.48 |
| 56000 | ￥0.244682 | ￥13702.19 |
| 200000 | ￥0.212058 | ￥42411.60 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN, PNP
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 1
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
峰值直流集电极电流 100 mA
通道数量 2 Channel
外形参数
高度 0.37 mm
长度 1 mm
宽度 0.8 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 1.100 mg
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注
NSBC114EPDP6T5G
型号：NSBC114EPDP6T5G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 8000+： | ￥0.334428 |
| 16000+： | ￥0.277306 |
| 24000+： | ￥0.272395 |
| 56000+： | ￥0.244682 |
| 200000+： | ￥0.212058 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00