货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.61452 | ¥1843.56 |
| 6000 | ¥0.580358 | ¥3482.15 |
| 15000 | ¥0.529172 | ¥7937.58 |
| 30000 | ¥0.49501 | ¥14850.30 |
| 75000 | ¥0.483104 | ¥36232.80 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
配置 Dual Common Emitter
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 4.7 kOhms
直流集电极 100
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 100 mW
直流电流增益(Max) 600
发射极 - 基极电压 5 V
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
零件号别名 UMG3N
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0UMG3NTR
型号:UMG3NTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.61452 |
| 6000+: | ¥0.580358 |
| 15000+: | ¥0.529172 |
| 30000+: | ¥0.49501 |
| 75000+: | ¥0.483104 |
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