MMBTH10LT1G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.314525 | ￥3.31 |
| 10 | ￥2.69897 | ￥26.99 |
| 25 | ￥2.258612 | ￥56.47 |
| 100 | ￥1.429981 | ￥143.00 |
| 250 | ￥1.104211 | ￥276.05 |
| 500 | ￥0.941088 | ￥470.54 |
| 1000 | ￥0.639941 | ￥639.94 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 25 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 3 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 -
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 650 MHz
直流集电极 60
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
MMBTH10LT1G 同类别型号
注
MMBTH10LT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、MMBTH10LT1G
数据手册PDF。
MMBTH10LT1G
型号：MMBTH10LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.314525 |
| 10+： | ￥2.69897 |
| 25+： | ￥2.258612 |
| 100+： | ￥1.429981 |
| 250+： | ￥1.104211 |
| 500+： | ￥0.941088 |
| 1000+： | ￥0.639941 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.31