MMBTH10-4LT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.264103 | ￥792.31 |
| 6000 | ￥0.229655 | ￥1377.93 |
| 15000 | ￥0.195206 | ￥2928.09 |
| 30000 | ￥0.183724 | ￥5511.72 |
| 75000 | ￥0.172241 | ￥12918.08 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 25 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 3 V
饱和电压 500 mV
最大直流电集电极电流 -
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 800 MHz
直流集电极 120
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 40 mg
MMBTH10-4LT1G 相关产品
MMBTH10-4LT1G 同类别型号
注
MMBTH10-4LT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管射频
，可在锐单商城现货采购MMBTH10-4LT1G、查询MMBTH10-4LT1G代理商；
MMBTH10-4LT1G价格批发咨询客服；这里拥有
MMBTH10-4LT1G中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到MMBTH10-4LT1G
替代型号
、MMBTH10-4LT1G
数据手册PDF。
MMBTH10-4LT1G
型号：MMBTH10-4LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.264103 |
| 6000+： | ￥0.229655 |
| 15000+： | ￥0.195206 |
| 30000+： | ￥0.183724 |
| 75000+： | ￥0.172241 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00