2SC3649S-TD-E
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.914198 | ￥1914.20 |
| 2000 | ￥1.734788 | ￥3469.58 |
| 5000 | ￥1.615143 | ￥8075.72 |
| 10000 | ￥1.555321 | ￥15553.21 |
| 25000 | ￥1.501156 | ￥37528.90 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 130 mV
最大直流电集电极电流 1.5 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 120 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 51.580 mg
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注
2SC3649S-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SC3649S-TD-E
数据手册PDF。
2SC3649S-TD-E
型号：2SC3649S-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.914198 |
| 2000+： | ￥1.734788 |
| 5000+： | ￥1.615143 |
| 10000+： | ￥1.555321 |
| 25000+： | ￥1.501156 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00