
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.911085 | ¥5.91 |
| 10 | ¥4.181011 | ¥41.81 |
| 100 | ¥2.11069 | ¥211.07 |
| 500 | ¥1.871074 | ¥935.54 |
| 1000 | ¥1.456147 | ¥1456.15 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 126 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 2.1 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.4 ns
典型接通延迟时间 9.2 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
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0SSM3K329R,LF
型号:SSM3K329R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.911085 |
| 10+: | ¥4.181011 |
| 100+: | ¥2.11069 |
| 500+: | ¥1.871074 |
| 1000+: | ¥1.456147 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.91