2SC3649S-TD-E
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.858151 | ￥10.86 |
| 10 | ￥9.568746 | ￥95.69 |
| 100 | ￥7.334681 | ￥733.47 |
| 500 | ￥5.797982 | ￥2898.99 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 130 mV
最大直流电集电极电流 1.5 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 120 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 51.580 mg
2SC3649S-TD-E 同类别型号
注
2SC3649S-TD-E品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SC3649S-TD-E
数据手册PDF。
2SC3649S-TD-E
型号：2SC3649S-TD-E
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.858151 |
| 10+： | ￥9.568746 |
| 100+： | ￥7.334681 |
| 500+： | ￥5.797982 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.86