货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.155426 | ¥5.16 |
10 | ¥3.64652 | ¥36.47 |
100 | ¥1.840865 | ¥184.09 |
500 | ¥1.631881 | ¥815.94 |
1000 | ¥1.269996 | ¥1270.00 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 126 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 2.1 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.4 ns
典型接通延迟时间 9.2 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
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0SSM3K329R,LF
型号:SSM3K329R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.155426 |
10+: | ¥3.64652 |
100+: | ¥1.840865 |
500+: | ¥1.631881 |
1000+: | ¥1.269996 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.16