货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.72493 | ¥2174.79 |
6000 | ¥0.694788 | ¥4168.73 |
9000 | ¥0.625346 | ¥5628.11 |
30000 | ¥0.616043 | ¥18481.29 |
75000 | ¥0.578978 | ¥43423.35 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.1 A
漏源电阻 112 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.3 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
单位重量 8 mg
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0SI2301CDS-T1-GE3
型号:SI2301CDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.72493 |
6000+: | ¥0.694788 |
9000+: | ¥0.625346 |
30000+: | ¥0.616043 |
75000+: | ¥0.578978 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00