MMBT918LT1G
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.372734 | ￥4.37 |
| 10 | ￥3.604192 | ￥36.04 |
| 25 | ￥3.015862 | ￥75.40 |
| 100 | ￥1.910753 | ￥191.08 |
| 250 | ￥1.475069 | ￥368.77 |
| 500 | ￥1.257227 | ￥628.61 |
| 1000 | ￥0.854936 | ￥854.94 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 15 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 3 V
饱和电压 400 mV
最大直流电集电极电流 50 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 600 MHz
集电极连续电流 0.05 A
直流集电极 20
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
MMBT918LT1G 同类别型号
注
MMBT918LT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、MMBT918LT1G
数据手册PDF。
MMBT918LT1G
型号：MMBT918LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.372734 |
| 10+： | ￥3.604192 |
| 25+： | ￥3.015862 |
| 100+： | ￥1.910753 |
| 250+： | ￥1.475069 |
| 500+： | ￥1.257227 |
| 1000+： | ￥0.854936 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.37