MMBT918LT1G
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.813734 | ￥3.81 |
| 10 | ￥3.143442 | ￥31.43 |
| 25 | ￥2.630321 | ￥65.76 |
| 100 | ￥1.666487 | ￥166.65 |
| 250 | ￥1.2865 | ￥321.63 |
| 500 | ￥1.096506 | ￥548.25 |
| 1000 | ￥0.745643 | ￥745.64 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 15 V
集电极—基极电压 30 V
发射极 - 基极电压 3 V
饱和电压 400 mV
最大直流电集电极电流 50 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 600 MHz
集电极连续电流 0.05 A
直流集电极 20
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
MMBT918LT1G 同类别型号
注
MMBT918LT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、MMBT918LT1G
数据手册PDF。
MMBT918LT1G
型号：MMBT918LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.813734 |
| 10+： | ￥3.143442 |
| 25+： | ￥2.630321 |
| 100+： | ￥1.666487 |
| 250+： | ￥1.2865 |
| 500+： | ￥1.096506 |
| 1000+： | ￥0.745643 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.81