IMZ4T108

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

晶体管极性 NPN, PNP

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 32 V, - 32 V

集电极—基极电压 40 V, - 40 V

发射极 - 基极电压 5 V, - 5 V

饱和电压 600 mV, - 600 mV

最大直流电集电极电流 500 mA, - 500 mA

耗散功率 300 mW

增益带宽产品 250 MHz, 200 MHz

集电极连续电流 500 mA

直流集电极 120

直流电流增益（Max） 560

技术 Si

高度 1.1 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

零件号别名 IMZ4