NSVMMUN2235LT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.396285 | ￥1188.86 |
| 6000 | ￥0.342788 | ￥2056.73 |
| 15000 | ￥0.284264 | ￥4263.96 |
| 30000 | ￥0.279236 | ￥8377.08 |
| 75000 | ￥0.250821 | ￥18811.58 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 2.2 kOhms
典型电阻器比率 0.047
直流集电极 80 at 5 mA, 10 V
工作频率（Max） -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
耗散功率 246 mW
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 8 mg
NSVMMUN2235LT1G 同类别型号
注
NSVMMUN2235LT1G
型号：NSVMMUN2235LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.396285 |
| 6000+： | ￥0.342788 |
| 15000+： | ￥0.284264 |
| 30000+： | ￥0.279236 |
| 75000+： | ￥0.250821 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00