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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
配置 Dual
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 50
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
耗散功率 300 mW
发射极 - 基极电压 10 V
最大直流电集电极电流 100 mA
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 30 mg
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0RN1602(TE85L,F)
型号:RN1602(TE85L,F)
品牌:Toshiba
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