NSVMMUN2235LT1G
库存 ：32115
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.383504 | ￥5.38 |
| 10 | ￥4.349304 | ￥43.49 |
| 25 | ￥3.649449 | ￥91.24 |
| 100 | ￥1.782223 | ￥178.22 |
| 250 | ￥1.754455 | ￥438.61 |
| 500 | ￥1.48698 | ￥743.49 |
| 1000 | ￥1.033207 | ￥1033.21 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Single
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 2.2 kOhms
典型电阻器比率 0.047
直流集电极 80 at 5 mA, 10 V
工作频率（Max） -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
耗散功率 246 mW
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
单位重量 8 mg
NSVMMUN2235LT1G 相关产品
NSVMMUN2235LT1G 同类别型号
注
NSVMMUN2235LT1G
型号：NSVMMUN2235LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：32115 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.383504 |
| 10+： | ￥4.349304 |
| 25+： | ￥3.649449 |
| 100+： | ￥1.782223 |
| 250+： | ￥1.754455 |
| 500+： | ￥1.48698 |
| 1000+： | ￥1.033207 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.38