NST847BDP6T5G
库存 ：21356
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.589451 | ￥4.59 |
| 10 | ￥3.136125 | ￥31.36 |
| 100 | ￥2.108087 | ￥210.81 |
| 500 | ￥1.625891 | ￥812.95 |
| 1000 | ￥1.464648 | ￥1464.65 |
| 2000 | ￥1.326811 | ￥2653.62 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 420 mW
增益带宽产品 100 MHz
直流集电极 200 at 2 mA, 5 V
直流电流增益（Max） 200 at 2 mA, 5 V
技术 Si
外形参数
高度 0.37 mm
长度 1 mm
宽度 0.8 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 1.190 mg
NST847BDP6T5G 同类别型号
注
NST847BDP6T5G
型号：NST847BDP6T5G
品牌：ON
供货：锐单
库存：21356 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.589451 |
| 10+： | ￥3.136125 |
| 100+： | ￥2.108087 |
| 500+： | ￥1.625891 |
| 1000+： | ￥1.464648 |
| 2000+： | ￥1.326811 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.59