NSBC114YDXV6T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：4000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ￥0.444693 | ￥1778.77 |
| 8000 | ￥0.425171 | ￥3401.37 |
| 12000 | ￥0.367726 | ￥4412.71 |
| 28000 | ￥0.360846 | ￥10103.69 |
| 100000 | ￥0.298755 | ￥29875.50 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 0.21
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 357 mW
直流电流增益（Max） 80
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 3 mg
NSBC114YDXV6T1G 同类别型号
注
NSBC114YDXV6T1G
型号：NSBC114YDXV6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 4000+： | ￥0.444693 |
| 8000+： | ￥0.425171 |
| 12000+： | ￥0.367726 |
| 28000+： | ￥0.360846 |
| 100000+： | ￥0.298755 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00