
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.720233 | ¥2160.70 |
| 6000 | ¥0.690308 | ¥4141.85 |
| 9000 | ¥0.621239 | ¥5591.15 |
| 30000 | ¥0.612085 | ¥18362.55 |
| 75000 | ¥0.586958 | ¥44021.85 |
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.1 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.6 nC
耗散功率 1.115 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel Trench MOSFET
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934068494215
单位重量 8 mg
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0PMV45EN2R
型号:PMV45EN2R
品牌:Nexperia
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.720233 |
| 6000+: | ¥0.690308 |
| 9000+: | ¥0.621239 |
| 30000+: | ¥0.612085 |
| 75000+: | ¥0.586958 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00