
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.600113 | ¥1800.34 |
| 6000 | ¥0.58673 | ¥3520.38 |
| 9000 | ¥0.519689 | ¥4677.20 |
| 30000 | ¥0.512968 | ¥15389.04 |
| 75000 | ¥0.435846 | ¥32688.45 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 21 mA
漏源电阻 310 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 650 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 115 ns
正向跨导(Min) 7 mS
上升时间 9.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 6.1 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS127 H6327 SP000919332
单位重量 34 mg
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0BSS127H6327XTSA2
型号:BSS127H6327XTSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.600113 |
| 6000+: | ¥0.58673 |
| 9000+: | ¥0.519689 |
| 30000+: | ¥0.512968 |
| 75000+: | ¥0.435846 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00