EMZ8T2R

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

晶体管极性 NPN, PNP

配置 Dual

击穿电压(集电极-发射极) 50 V, - 12 V

集电极—基极电压 60 V, - 15 V

发射极 - 基极电压 7 V, - 6 V

饱和电压 400 mV, - 250 mV

最大直流电集电极电流 150 mA, - 500 mA

耗散功率 150 mW

增益带宽产品 260 MHz, 180 MHz

直流集电极 120

直流电流增益（Max） 120 at 1 mA, 6 V

技术 Si

高度 0.5 mm

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 SMD/SMT

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors

零件号别名 EMZ8