BC847BPDW1T3G
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货期：国内（1~3工作日）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.205376 | ￥2053.76 |
| 20000 | ￥0.187762 | ￥3755.24 |
| 30000 | ￥0.178733 | ￥5361.99 |
| 50000 | ￥0.168506 | ￥8425.30 |
| 70000 | ￥0.162445 | ￥11371.15 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 45 V, - 45 V
集电极—基极电压 50 V, - 50 V
发射极 - 基极电压 6 V, - 6 V
饱和电压 600 mV, - 650 mV
最大直流电集电极电流 100 mA, - 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 150
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6 mg
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注
BC847BPDW1T3G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、BC847BPDW1T3G
数据手册PDF。
BC847BPDW1T3G
型号：BC847BPDW1T3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.205376 |
| 20000+： | ￥0.187762 |
| 30000+： | ￥0.178733 |
| 50000+： | ￥0.168506 |
| 70000+： | ￥0.162445 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00