BC847BDW1T3G
库存 ：20000
货期：（7~10天）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.443036 | ￥4430.36 |
| 20000 | ￥0.404485 | ￥8089.70 |
| 30000 | ￥0.384598 | ￥11537.94 |
| 50000 | ￥0.362108 | ￥18105.40 |
| 70000 | ￥0.348646 | ￥24405.22 |
| 100000 | ￥0.335643 | ￥33564.30 |
| 250000 | ￥0.313613 | ￥78403.25 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 45 V
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 600 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 0.1 A
直流集电极 200
技术 Si
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 28 mg
BC847BDW1T3G 同类别型号
注
BC847BDW1T3G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、BC847BDW1T3G
数据手册PDF。
BC847BDW1T3G
型号：BC847BDW1T3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：20000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.443036 |
| 20000+： | ￥0.404485 |
| 30000+： | ￥0.384598 |
| 50000+： | ￥0.362108 |
| 70000+： | ￥0.348646 |
| 100000+： | ￥0.335643 |
| 250000+： | ￥0.313613 |
货期：7-10天
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