货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.635296 | ¥1905.89 |
6000 | ¥0.621091 | ¥3726.55 |
9000 | ¥0.550134 | ¥4951.21 |
30000 | ¥0.542995 | ¥16289.85 |
75000 | ¥0.461365 | ¥34602.38 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 128 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 920 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 3 ns
高度 0.2 mm
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD17484F4
型号:CSD17484F4
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.635296 |
6000+: | ¥0.621091 |
9000+: | ¥0.550134 |
30000+: | ¥0.542995 |
75000+: | ¥0.461365 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00