
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.519454 | ¥1558.36 |
| 6000 | ¥0.507839 | ¥3047.03 |
| 9000 | ¥0.44982 | ¥4048.38 |
| 30000 | ¥0.443983 | ¥13319.49 |
| 75000 | ¥0.377238 | ¥28292.85 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 128 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 920 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 3 ns
高度 0.2 mm
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD17484F4
型号:CSD17484F4
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.519454 |
| 6000+: | ¥0.507839 |
| 9000+: | ¥0.44982 |
| 30000+: | ¥0.443983 |
| 75000+: | ¥0.377238 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00