BFU730F,115
库存 ：82959
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.731931 | ￥5.73 |
| 10 | ￥4.934446 | ￥49.34 |
| 100 | ￥3.434176 | ￥343.42 |
| 500 | ￥2.681298 | ￥1340.65 |
| 1000 | ￥2.32542 | ￥2325.42 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
工作频率 55 GHz
直流集电极 205
击穿电压(集电极-发射极) 2.8 V
发射极 - 基极电压 1 V
集电极连续电流 5 mA
集电极—基极电压 10 V
直流电流增益（Max） 555
耗散功率 197 mW
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
零件号别名 934064614115
单位重量 6.665 mg
BFU730F,115 同类别型号
注
BFU730F,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管射频
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替代型号
、BFU730F,115
数据手册PDF
。
BFU730F,115
型号：BFU730F,115
品牌：NXP
供货：锐单
库存：82959 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.731931 |
| 10+： | ￥4.934446 |
| 100+： | ￥3.434176 |
| 500+： | ￥2.681298 |
| 1000+： | ￥2.32542 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.73