IMT18T110
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.853769 | ￥2561.31 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 12 V
集电极—基极电压 - 15 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 100 mV
最大直流电集电极电流 - 500 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 260 MHz
直流集电极 270 at 10 mA, 2 V
直流电流增益（Max） 270 at 10 mA, 2 V
技术 Si
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 IMT18
IMT18T110 同类别型号
注
IMT18T110品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、IMT18T110
数据手册PDF。
IMT18T110
型号：IMT18T110
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.853769 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00