MBT3906DW1T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.270416 | ￥811.25 |
| 6000 | ￥0.250874 | ￥1505.24 |
| 9000 | ￥0.20804 | ￥1872.36 |
| 30000 | ￥0.204362 | ￥6130.86 |
| 75000 | ￥0.183522 | ￥13764.15 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 40 V
集电极—基极电压 - 40 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 400 mV
最大直流电集电极电流 - 200 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 250 MHz
集电极连续电流 - 200 mAdc
直流集电极 60
技术 Si
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
零件号别名 MBT3906DW1T2G
单位重量 6 mg
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注
MBT3906DW1T1G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极晶体管预偏置
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替代型号
、MBT3906DW1T1G
数据手册PDF。
MBT3906DW1T1G
型号：MBT3906DW1T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.270416 |
| 6000+： | ￥0.250874 |
| 9000+： | ￥0.20804 |
| 30000+： | ￥0.204362 |
| 75000+： | ￥0.183522 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00